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TALD-150L原子层沉积系统

1、最低反应温度≤50℃(HfO2、Al2O3); 2、均匀流场,低温工艺颗粒少; 3、深宽比≥70:1,保型生长。


系统特点:

1、最低反应温度≤50℃(HfO2、Al2O3);
2、均匀流场,低温工艺颗粒少;
3、深宽比≥70:1,保型生长。

关键词: TALD-150L原子层沉积系统

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